RAM (Random acces memory) adalah sebuah tipe penyimpanan komputer yang isinya dapat diakses dalam waktu yang tetap tidak memperdulikan letak data tersebut dalam memori. Ini berlawanan dengan alat memori urut, seperti tape magnetik, disk dan drum, di mana gerakan mekanikal dari media penyimpanan memaksa komputer untuk mengakses data secara berurutan.
Pertama kali dikenal pada tahun 60'an. Hanya saja saat itu memori semikonduktor belumlah populer karena harganya yang sangat mahal. Saat itu lebih lazim untuk menggunakan memori utama magnetic.
Perusahaan semikonduktor seperti Intel memulai debutnya dengan memproduksi RAM , lebih tepatnya jenis DRAM.
Biasanya RAM dapat ditulis dan dibaca, berlawanan dengan memori-baca-saja (read-only-memory, ROM), RAM biasanya digunakan untuk penyimpanan primer (memori utama) dalam komputer untuk digunakan dan mengubah informasi secara aktif, meskipun beberapa alat menggunakan beberapa jenis RAM untuk menyediakan penyimpanan sekunder jangka-panjang.
Tetapi ada juga yang berpendapat bahwa ROM merupakan jenis lain dari RAM, karena sifatnya yang sebenarnya juga Random Access seperti halnya SRAM ataupun DRAM. Hanya saja memang proses penulisan pada ROM membutuhkan proses khusus yang tidak semudah dan fleksibel seperti halnya pada SRAM atau DRAM. Selain itu beberapa bagian dari space addres RAM ( memori utama ) dari sebuah sistem yang dipetakan kedalam satu atau dua chip ROM.
- Istilah2 RAM :
1. Speed
2. Megahertz
3. PC Rating
4. CAS Latency
- MENGENAL BAGIAN KOMPONEN2 RAM
1. PCB (Printed Circuit Board)
2. Contact Point
3. DRAM (Dynamic Random Access Memory)
4. Chip Packaging
5. DIP (Dual In-Line Package)
6. TSOP (Thin Small Outline Package)
7. CSP (Chip Scale Package)
Sejarah perkembangan RAM :
1. RAM
RAM ditemukan oleh Robert Dennard dan diproduksi secara besar – besaran oleh Intel pada tahun 1968, jauh sebelum PC ditemukan oleh IBM pd thn 1981. Dari sinilah perkembangan RAM bermula. Pada awal diciptakannya, RAM membutuhkan tegangan 5.0 volt untuk dapat berjalan pada frekuensi 4,77MHz, dengan waktu akses memori (access time) sekitar 200ns (1ns = 10-9 detik).
2. DRAM
Random akses memori dinamis (DRAM) merupakan jenis random akses memori yang menyimpan setiap bit data yang terpisah dalam kapasitor dalam satu sirkuit terpadu. Karena kapasitornya selalu bocor, informasi yang tersimpan akhirnya hilang kecuali kapasitor itu disegarkan secara berkala. Karena kebutuhan dalam penyegaran, hal ini yang membuatnya sangat dinamis dibandingkan dengan memori (SRAM) statik memori dan lain-lain.
Keuntungan dari DRAM adalah kesederhanaan struktural: hanya satu transistor dan kapasitor yang diperlukan per bit, dibandingkan dengan empat di Transistor SRAM. Hal ini memungkinkan DRAM untuk mencapai kepadatan sangat tinggi. Tidak seperti flash memori, memori DRAM itu mudah "menguap" karena kehilangan datanya bila kehilangan aliran listrik.
3. FP RAM
Fast Page Mode DRAM atau disingkat dengan FPM DRAM ditemukan sekitar tahun 1987. Sejak pertama kali diluncurkan, memori jenis ini langsung mendominasi pemasaran memori, dan orang sering kali menyebut memori jenis ini “DRAM” saja, tanpa menyebut nama FPM. Memori jenis ini bekerja layaknya sebuah indeks atau daftar isi. Arti Page itu sendiri merupakan bagian dari memori yang terdapat pada sebuah row address. Ketika sistem membutuhkan isi suatu alamat memori, FPM tinggal mengambil informasi mengenainya berdasarkan indeks yang telah dimiliki. FPM memungkinkan transfer data yang lebih cepat pada baris (row) yang sama dari jenis memori sebelumnya. FPM bekerja pada rentang frekuensi 16MHz hingga 66MHz dengan access time sekitar 50ns. Selain itu FPM mampu mengolah transfer data (bandwidth) sebesar 188,71 Mega Bytes (MB) per detiknya.Memori FPM ini mulai banyak digunakan pada sistem berbasis Intel 286, 386 serta sedikit 486.
4. EDO RAM
Pada tahun 1995, diciptakanlah memori jenis Extended Data Output Dynamic Random Access Memory (EDO DRAM) yang merupakan penyempurnaan dari FPM. Memori EDO dapat mempersingkat read cycle-nya sehingga dapat meningkatkan kinerjanya sekitar 20 persen. EDO mempunyai access time yang cukup bervariasi, yaitu sekitar 70ns hingga 50ns dan bekerja pada frekuensi 33MHz hingga 75MHz. Walaupun EDO merupakan penyempurnaan dari FPM, namun keduanya tidak dapat dipasang secara bersamaan, karena adanya perbedaan kemampuan.Memori EDO DRAM banyak digunakan pada sistem berbasis Intel 486 dan kompatibelnya serta Pentium generasi awal.
5. SDRAM PC66
Pada peralihan tahun 1996 - 1997, Kingston menciptakan sebuah modul memori dimana dapat bekerja pada kecepatan (frekuensi) bus yang sama / sinkron dengan frekuensi yang bekerja pada prosessor. Itulah sebabnya mengapa Kingston menamakan memori jenis ini sebagai Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)
Dengan kemampuannya yang terbaik saat itu dan telah diproduksi secara masal, bukan hanya oleh Kingston saja, maka dengan cepat memori PC66 ini menjadi standar memori saat itu. Sistem berbasis prosessor Soket 7 seperti Intel Pentium klasik (P75 - P266MMX) maupun kompatibelnya dari AMD, WinChip, IDT, dan sebagainya dapat bekerja sangat cepat dengan menggunakan memori PC66 ini. Bahkan Intel Celeron II generasi awal pun masih menggunakan sistem memori SDRAM PC66.
6. SDRAM PC100
Selang kurun waktu setahun setelah PC66 diproduksi dan digunakan secara masal, Intel membuat standar baru jenis memori yang merupakan pengembangan dari memori PC66. Standar baru ini diciptakan oleh Intel untuk mengimbangi sistem chipset i440BX dengan sistem Slot 1 yang juga diciptakan Intel. Chipset ini didesain untuk dapat bekerja pada frekuensi bus sebesar 100MHz. Chipset ini sekaligus dikembangkan oleh Intel untuk dipasangkan dengan prosessor terbaru Intel Pentium II yang bekerja pada bus 100MHz. Karena bus sistem bekerja pada frekuensi 100MHz sementara Intel tetap menginginkan untuk menggunakan sistem memori SDRAM, maka dikembangkanlah memori SDRAM yang dapat bekerja pada frekuensi bus 100MHz. Seperti pendahulunya PC66, memori SDRAM ini kemudian dikenal dengan sebutan PC100.
Dengan menggunakan tegangan kerja sebesar 3,3 volt, memori PC100 mempunyai access time sebesar 8ns, lebih singkat dari PC66. Selain itu memori PC100 mampu mengalirkan data sebesar 800MB per detiknya.
Hampir sama dengan pendahulunya, memori PC100 telah membawa perubahan dalam sistem komputer. Tidak hanya prosessor berbasis Slot 1 saja yang menggunakan memori PC100, sistem berbasis Soket 7 pun diperbarui untuk dapat menggunakan memori PC100. Maka muncullah apa yang disebut dengan sistem Super Soket 7. Contoh prosessor yang menggunakan soket Super7 adalah AMD K6-2, Intel Pentium II generasi akhir, dan Intel Pentium II generasi awal dan Intel Celeron II generasi awal.
7. DR DRAM
Dynamic random-access memory (DRAM) merupakan jenis random akses memori yang menyimpan setiap bit data dalam kapasitor yang terpisah dalam sebuah sirkuit terpadu. Kapasitor dapat berupa dibebankan atau habis; kedua negara ini diambil untuk mewakili dua nilai sedikit, konvensional disebut 0 dan 1. Karena biaya kebocoran kapasitor, informasi akhirnya memudar kecuali kapasitor itu disegarkan secara berkala. Karena kebutuhan dalam penyegaran, itu adalah memori dinamis yang bertentangan dengan SRAM dan memori statis lainnya.
Memori utama ("RAM") di komputer pribadi adalah Dynamic RAM (DRAM). Ini adalah RAM di komputer laptop, notebook dan workstation serta beberapa dari RAM game konsol rumah (PlayStation3, Xbox 360 dan Wii),
Keuntungan dari DRAM adalah kesederhanaan struktural: hanya satu transistor dan kapasitor yang diperlukan per bit, dibandingkan dengan enam transistor di SRAM. Hal ini memungkinkan DRAM untuk mencapai kepadatan sangat tinggi. Tidak seperti memori flash, DRAM adalah memori volatile (lih. memori non-volatile), karena kehilangan data dengan cepat ketika kekuasaan akan dihapus. Transistor dan kapasitor yang digunakan sangat kecil; miliaran dapat muat pada chip memori tunggal.
8. RDRAM PC800
Rambus juga mengembangkan sebuah jenis memori lainnya dengan kemampuan yang sama dengan DRDRAM. Perbedaannya hanya terletak pada tegangan kerja yang dibutuhkan. Jika DRDRAM membutuhkan tegangan sebesar 2,5 volt, maka RDRAM PC800 bekerja pada tegangan 3,3 volt. Nasib memori RDRAM ini hampir sama dengan DRDRAM, kurang diminati, jika tidak dimanfaatkan oleh Intel.
Intel yang telah berhasil menciptakan sebuah prosessor berkecepatan sangat tinggi membutuhkan sebuah sistem memori yang mampu mengimbanginya dan bekerja sama dengan baik. Memori jenis SDRAM sudah tidak sepadan lagi. Intel membutuhkan yang lebih dari itu. Dengan dipasangkannya Intel Pentium4, nama RDRAM melambung tinggi, dan semakin lama harganya semakin turun.
9. SDRAM PC133
PC133 adalah memori komputer standar yang ditetapkan oleh JEDEC. PC133 mengacu pada operasi Synchronous DRAM pada frekuensi clock 133 MHz, di bus 64-bit lebar, pada tegangan 3,3 V. PC 133 tersedia dalam 168 pin DIMM dan pin SO-DIMM 144 faktor bentuk. PC133 adalah tercepat dan terakhir SDRAM standar yang disetujui oleh JEDEC, dan memberikan bandwidth sebesar 1066 MB per detik ([133,33 MHz * 64 / 8] = 1066 MB / s). PC133 adalah kompatibel dengan PC100 dan PC66.
10. SDRAM PC150
Perkembangan memori SDRAM semakin menjadi - jadi setelah Mushkin, pada tahun 2000 berhasil mengembangkan chip memori yang mampu bekerja pada frekuensi bus 150MHz, walaupun sebenarnya belum ada standar resmi mengenai frekunsi bus sistem atau chipset sebesar ini. Masih dengan tegangan kerja sebesar 3,3 volt, memori PC150 mempunyai access time sebesar 7ns dan mampu mengalirkan data sebesar 1,28GB per detiknya.
Memori ini sengaja diciptakan untuk keperluan overclocker, namun pengguna aplikasi game dan grafis 3 dimensi, desktop publishing, serta komputer server dapat mengambil keuntungan dengan adanya memori PC150.
11. DDR SDRAM
Double data rate sinkron dynamic random access memory (DDR SDRAM) adalah kelas memori sirkuit terintegrasi yang digunakan dalam komputer. DDR SDRAM (kadang-kadang disebut sebagai DDR1 SDRAM) telah digantikan oleh DDR2 SDRAM dan DDR3 SDRAM, baik yang baik maju atau mundur kompatibel dengan DDR SDRAM, yang berarti bahwa modul memori DDR2 atau DDR3 tidak akan bekerja di motherboard DDR yang dilengkapi, dan wakil sebaliknya.
Dibandingkan dengan data rate tunggal (SDR) SDRAM, DDR SDRAM antarmuka membuat kecepatan transfer yang lebih tinggi dimungkinkan oleh kontrol ketat lebih dari waktu data listrik dan sinyal clock. Implementasi sering harus menggunakan skema seperti sebagai fase-loop terkunci dan self-kalibrasi untuk mencapai akurasi waktu yang diperlukan [1] [2]. Antarmuka menggunakan pompa ganda (mentransfer data pada kedua tepi naik dan turun dari sinyal clock) untuk menurunkan frekuensi clock. Satu keuntungan dari menjaga frekuensi clock bawah adalah bahwa itu mengurangi persyaratan integritas sinyal pada papan sirkuit yang menghubungkan memori ke controller. Nama "double data rate" mengacu pada fakta bahwa DDR SDRAM dengan frekuensi clock tertentu mencapai hampir dua kali lipat bandwidth tingkat data tunggal (SDR) SDRAM yang berjalan pada frekuensi clock yang sama, karena ini memompa ganda.
Dengan data yang ditransfer 64 bit pada satu waktu, DDR SDRAM memberikan transfer rate (bus memory clock rate) × 2 (untuk dual rate) × 64 (jumlah bit yang ditransfer) / 8 (jumlah bit / byte). Jadi, dengan frekuensi bus 100 MHz, DDR SDRAM memberikan transfer rate maksimum 1600 MB / s.
"Dimulai pada tahun 1996 dan menyimpulkan pada bulan Juni 2000, JEDEC mengembangkan DDR (Double Data Rate) SDRAM spesifikasi (JESD79)." [3] JEDEC telah menetapkan standar untuk kecepatan data dari DDR SDRAM, dibagi menjadi dua bagian. Spesifikasi pertama adalah untuk chip memori, dan yang kedua adalah untuk modul memori.
12. DDR RAM
Pada 1999 dua perusahaan besar microprocessor INTEL dan AMD bersaing ketat dalam meningkatkan kecepatan clock pada CPU. Namun menemui hambatan, karena ketika meningkatkan memory bus ke 133 Mhz kebutuhan Memory (RAM) akan lebih besar. Dan untuk menyelesaikan masalah ini maka dibuatlah DDR RAM (double data rate transfer) yang awalnya dipakai pada kartu grafis, karena sekarang anda bisa menggunakan hanya 32 MB untuk mendapatkan kemampuan 64 MB. AMD adalah perusahaan pertama yang menggunakan DDR RAM pada motherboardnya.
13. DDR2 RAM
DDR2 RAM merupakan jenis RAM (Random Access Memory) yang banyak digunakan pada era komputer sekelas Pentium IV. DDR RAM ini memiliki satu celah dibagian kakinya dan dipasang pada slot DIMM/DDR yang memiliki 183 pin di motherboard. DDR RAM mempunyai kecepatan transfer dan menyimpan data hampir 2 kali lipat dibandingkan RAM jenis SDRAM. Kapasitas yang dimiliki RAM jenis DDR RAM ini dimulai dari 128 Mb hingga 1 Gb perkeping memorinya. Saat ini DDR2 telah digantikan dengan DDR3
14. DDR3 RAM
RAM DDR3 ini memiliki kebutuhan daya yang berkurang sekitar 16% dibandingkan dengan DDR2. Hal tersebut disebabkan karena DDR3 sudah menggunakan teknologi 90 nm sehingga konsumsi daya yang diperlukan hanya 1.5v, lebih sedikit jika dibandingkan dengan DDR2 1.8v dan DDR 2.5v. Secara teori, kecepatan yang dimiliki oleh RAM ini memang cukup memukau. Ia mampu mentransfer data dengan clock efektif sebesar 800-1600 MHz. Pada clock 400-800 MHz, jauh lebih tinggi dibandingkan DDR2 sebesar 400-1066 MHz (200- 533 MHz) dan DDR sebesar 200-600 MHz (100-300 MHz). Prototipe dari DDR3 yang memiliki 240 pin. Ini sebenarnya sudah diperkenalkan sejak lama pada awal tahun 2005. Namun, produknya sendiri benar-benar muncul pada pertengahan tahun 2007 bersamaan dengan motherboard yang menggunakan chipset Intel P35 Bearlake dan pada motherboard tersebut sudah mendukung slot DIMM
15. DDR4 RAM (new)
Samsung Electronics telah mengumumkan bahwa mereka telah menyelesaikan pengembangan modul DRAM DDR4 pertama di dunia industri elektronik bulan lalu. Pengembangan ini menggunakan teknologi proses kelas 30nm, dan menyediakan unbuffered modul memori dual in-line (UDIMM) 1.2V 2GB DDR4 ke pembuat controller untuk pengujian.
Modul DRAM DDR4 baru ini dapat mencapai kecepatan transfer data 2.133Gbps di 1.2V, lebih hemat daya dan lebih cepat bila dibandingkan dengan 1.35V dan 1.5V DRAM DDR3 pada teknologi proses 30nm yang setara , dengan kecepatan hingga 1.6Gbps.
Dalam notebook, modul DDR4 akan mengurangi konsumsi daya sebesar 40 persen dibandingkan dengan modul DDR3 1.5V.
Modul ini menggunakan Pseudo Terbuka Drain (POD) teknologi, yang memungkinkan DRAM DDR4 untuk mengkonsumsi hanya setengah arus listrik dari DDR3 saat membaca dan menulis data. Dengan menggunakan arsitektur sirkuit baru, DDR4 Samsung akan dapat dijalankan pada sampai 3.2Gbps, dibandingkan dengan kecepatan khas hari ini dari 1.6Gbps untuk DDR3 dan 800Mbps untuk DDR2.
Samsung kini berencana untuk bekerja sama dengan sejumlah pembuat server untuk membantu memastikan penyelesaian standarisasi JEDEC teknologi DDR4 pada semester kedua tahun ini. Samsung mengembangkan DRAM DDR pertama di industri tahun 1997, DRAM DDR2 pertama di tahun 2001, dan DRAM DDR3 pertama yang menggunakan teknologi kelas 80nm pada tahun 2005
EVOLUSI MODUL
1. SIMM
2. DIMM
3. SODIMM
4. RIMM / SORIMM
Istilah-istilah RAM
1. Speed
Speed atau kecepatan, makin menjadi faktor penting dalam pemilihan sebuah modul memory. Bertambah cepatnya CPU, ditambah dengan pengembangan digunakannya dual-core, membuat RAM harus memiliki kemampuan yang lebih cepat untuk dapat melayani CPU.
Ada beberapa paramater penting yang akan berpengaruh dengan kecepatan sebuah memory.
2. Megahertz
Penggunaan istilah ini, dimulai pada jaman kejayaan SDRAM. Kecepatan memory, mulai dinyatakan dalam megahertz (MHz). Dan masih tetap digunakan, bahkan sampai pada DDR2.
Perhitungan berdasarkan selang waktu (periode) yang dibutuhkan antara setiap clock cycle. Biasanya dalam orde waktu nanosecond. Seperti contoh pada memory dengan aktual clock speed 133 MHz, akan membutuhkan access time 8ns untuk 1 clock cycle.
Kemudian keberadaan SDRAM tergeser dengan DDR (Double Data Rate). Dengan pengembangan utama pada kemampuan mengirimkan data dua kali lebih banyak. DDR mengirimkan data dua kali dalam satu clock cycle.
Kebanyakan produk mulai menggunakan clock speed efektif, hasil perkalian dua kali data yang dikirim. Ini sebetulnya lebih tepat jika disebut sebagai DDR Rating.
Hal yang sama juga terjadi untuk DDR2. Merupakan hasil pengembangan dari DDR. Dengan kelebihan utama pada rendahnya tegangan catudaya yang mengurangi panas saat beroperasi. Juga kapasitas memory chip DDR2 yang meningkat drastis, memungkinkan sebuah keping DDR2 memiliki kapasitas hingga 2 GB. DDR2 juga mengalami peningkatan kecepatan dibanding DDR.
3. PC Rating
Pada modul DDR, sering ditemukan istilah misalnya PC3200. Untuk modul DDR2, PC2-3200. Dari mana angka ini muncul?
Biasa dikenal dengan PC Rating untuk modul DDR dan DDR2. Sebagai contoh kali ini adalah sebuah modul DDR dengan clock speed 200 MHz. Atau untuk DDR Rating disebut DDR400. Dengan bus width 64-bit, maka data yang mampu ditransfer adalah 25.600 megabit per second (=400 MHz x 64-bit). Dengan 1 byte = 8-bit, maka dibulatkan menjadi 3.200MBps (Mebabyte per second). Angka throughput inilah yang dijadikan nilai dari PC Rating. Tambahan angka “2”, baik pada PC Rating maupu DDR Rating, hanya untuk membedakan antara DDR dan DDR2.
4. CAS Latency
Akronim CAS berasal dari singkatan column addres strobe atau column address select. Arti keduanya sama, yaitu lokasi spesifik dari sebuah data array pada modul DRAM.
CAS Latency, atau juga sering dising- kat dengan CL, adalah jumlah waktu yang dibutuhkan (dalam satuan clock cycle) selama delay waktu antara data request dikirimkan ke memory controller untuk proses read, sampai memory modul berhasil mengeluarkan data output. Semakin rendah spesifikasi CL yang dimiliki sebuah modul RAM, dengan clock speed yang sama, akan menghasilkan akses memory yang lebih cepat.
HIGH PROFILE RAM
HEATSINK RAM
referensi :
http://lukypiksi.wordpress.com/2009/01/29/sejarah-perkembangan-rammemory/
.jpg/220px-Generic_DDR_Memory_(Xytram).jpg)
